Новый MOSFET-транзистор Vishay с быстрым корпусом обеспечивает минимальное значение RDS(ON)

N-канальное устройство обеспечивает высокую плотность мощности при одновременном снижении проводимости и потерь на переключение для повышения эффективности.

МАЛВЕРН, Пенсильвания. Компания Vishay Intertechnology, Inc. представила новый МОП-транзистор с быстрым корпусом 600 В серии EF четвертого поколения в низкопрофильном корпусе PowerPAK 10 x 12. Обеспечивая высокую эффективность и плотность мощности для телекоммуникационных, промышленных и вычислительных приложений, n-канальный SiHK045N60EF Vishay Siliconix снижает сопротивление в открытом состоянии на 29 % по сравнению с устройствами предыдущего поколения, обеспечивая при этом заряд затвора на 60 % ниже. Это приводит к самому низкому в отрасли времени заряда затвора в открытом состоянии для устройств того же класса, что является ключевым показателем качества (FOM) для МОП-транзисторов на 600 В, используемых в приложениях преобразования энергии.

Vishay предлагает широкую линейку технологий MOSFET, которые поддерживают все этапы процесса преобразования энергии: от входов высокого напряжения до выходов низкого напряжения, необходимых для питания новейшего высокотехнологичного оборудования. С помощью SiHK045N60EF и других устройств семейства 600 В EF четвертого поколения компания решает проблему повышения эффективности и удельной мощности на двух первых этапах архитектуры энергосистемы — бесмостовую коррекцию коэффициента мощности с тотемным полюсом (PFC). ) и последующие блоки преобразователей постоянного тока в постоянный. Типичные приложения будут включать периферийные вычисления и хранение данных; UPS; газоразрядные лампы высокой интенсивности (HID) и люминесцентное балластное освещение; солнечные инверторы; Сварочное оборудование; индукционный нагрев; моторные приводы; и зарядные устройства для аккумуляторов.

Созданный на основе новейшей энергоэффективной технологии суперперехода серии E от Vishay, SiHK045N60EF имеет низкое типичное сопротивление в открытом состоянии 0,045 Ом при 10 В, что на 27 % ниже, чем у устройств в корпусе PowerPAK 8 x 8. Результатом является более высокая номинальная мощность для приложений ≥ 3 кВт, а низкий профиль устройства толщиной 2,3 мм увеличивает удельную мощность. Кроме того, МОП-транзистор обеспечивает сверхнизкий заряд затвора до 70 нКл. Результирующее сопротивление FOM, равное 3,15 Ом*нКл, на 2,27 % ниже, чем у ближайшего конкурирующего МОП-транзистора того же класса, что приводит к уменьшению потерь на проводимость и переключение для экономии энергии и повышения эффективности. Это позволяет устройству соответствовать особым требованиям эффективности титана в серверных источниках питания или достигать пиковой эффективности 98 % в источниках питания для телекоммуникаций.

Для улучшения характеристик переключения в топологиях переключения при нулевом напряжении (ZVS), таких как резонансные преобразователи LLC, SiHK045N60EF обеспечивает низкие эффективные выходные емкости Co(er) и Co(tr), равные 171 пФ и 1069 пФ соответственно. Co(tr) устройства на 8,79 % ниже, чем у ближайшего конкурирующего МОП-транзистора того же класса, а его быстродействующий корпусной диод обеспечивает низкий Qrr 0,8 мкКл для повышения надежности в мостовых топологиях. Кроме того, при максимальном номинальном термическом сопротивлении перехода к корпусу 0,45 °C/Вт корпус MOSFET PowerPAK 10 x 12 обеспечивает лучшие тепловые характеристики среди всех корпусов для поверхностного монтажа. По сравнению с устройствами PowerPAK 8 x 8, SiHK045N60EF обеспечивает на 31 % меньший тепловой импеданс.

Разработанный для того, чтобы выдерживать переходные процессы перенапряжения в лавинном режиме с гарантированными пределами при 100% тестировании UIS, выпущенный МОП-транзистор соответствует требованиям RoHS, не содержит галогенов и имеет цвет Vishay Green.

Образцы и объемы производства SiHK045N60EF уже доступны. Информацию о сроках выполнения можно запросить у вашего торгового представителя Vishay.